NAND方面,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。他们公布的产品线路图涵盖了HBM、

在2026至2028年,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。
DRAM市场方面,HBM5E以及其定制版本,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,面向AI市场有专用的高密度NAND。他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,并不是GDDR8,下面我们一起来看看他们的线路图。SK海力士计划推出HBM5、UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,
在2029至2031年,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,在NAND方面,DRAM和NAND,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,